Key Words:SiC纳米线;;N掺杂;;一步化学气相沉积法;;场发射性能
Abstract:采用简单的化学气相沉积法,首次以尿素(CO(NH_2)_2)为N掺杂剂,与Si/SiO_2粉体混合,一步法实现了高质量的N掺杂SiC纳米线的制备,并系统研究了不同原料质量比m(Si/SiO_2)∶m(CO(NH_2)_2)、不同合成温度对N掺杂SiC纳米线场发射性能的影响规律。研究得出:原料质量比m(Si/SiO2)∶m(CO(NH_2)_2)为1∶3,合成温度为1 250℃时,产物具有最优的场发射性能,其开启电场和阈值电场分别为1.2V·μm-1和3.3V·μm-1。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)等测试手段对优选工艺条件下所得产物的微观形貌、元素组成和物相结构进行了系统表征,结果表明:所得产物为具有立方结构的β-SiC晶体,纳米线的直径均匀,约为80nm,长度可达数十微米,N元素在产物中的原子分数为3.28%。
Volume:38
Issue:01
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