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陈光辉
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教授 硕士生导师  

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三氯氢硅和氢气系统中多晶硅化学气相沉积的数值模拟

关键字:物质传递;;化学气相沉积;;数值模拟;;多晶硅

摘要:本文建立了三氯氢硅和氢气系统中混合气体动量、热量和质量同时传递,并且耦合气相反应、表面反应的多晶硅气相沉积模型,利用流体力学计算软件(Computational Fluid Mechanics,CFD)Fluent6.2数值分析了气体进口速率、反应压力、表面温度和气体组成对硅化学气相沉积特性的影响,数值结果表明计算结果与相关实验数据吻合较好。分析表明在一定的条件下,硅沉积速率随温度、压力的升高而增加,在氢气浓度较高的情况下,硅沉积速率随氢气浓度增加而线性地降低。

卷号:v.39;No.154

期号:02

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