关键字：P3BT;;退火处理;;微结构变化;;红外光谱

摘要：聚-3-烷基噻吩(P3AT)作为一类重要的p-型半导体聚合物由于其结晶度高,已被广泛地应用于场效应晶体管、聚合物太阳能电池等领域。对于P3AT家族中一个重要的成员——等规聚-3-丁基噻吩(rr-P3BT),由于其侧链最短,在普通有机溶剂中的溶解性差,所以限制了它的应用,相关的研究与报道也很少见。然而与其他拥有更长侧链的P3AT相比,P3BT的结晶度最高,所以电子传导性和由此导致的自由电荷迁移率理应最高,值得深入研究其分子结构调控与性能的关系。本文利用红外光谱研究了不同退火温度对P3BT FormⅠ晶型微结构的影响。

卷号：VOL.30

是否译文：否