专利
获得包覆层厚度可控的SiC@SiO<sub>2</sub>纳米电缆及无包覆SiC纳米线的制备技术
- 发布时间：2020-12-14
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- 申请号：CN201410348897.7
- 是否职务专利：否
- 申请日期：2014-07-16
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