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高电容性能MXene电极对插层修饰离子的选择性(英文)
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摘要:离子插层是提高Ti_3C_2T_x MXene电化学性能的有效方法之一.然而,不同的插层离子对MXene的结构和电化学性能的影响是否相同这一问题尚不清楚.本文系统研究了Li~ 、Na~ 、K~ 、Cs~ 、Zn~(2 )、Mg~(2 )、SO_4~(2-)和OH~-等一系列离子插层后的MXene的结构特征和电化学性能.研究结果表明,插层离子的半径、电荷数和化学特性对插层效果都会产生影响.在所研究的插层剂中,由离子半径最大的一价阳离子Cs~ 和具有强碱性的阴离子OH~-组成的插层剂CsOH对MXene具有较好的插层效果.插层后的MXene层间距增大,层间容纳了大量游离水,Ti的价态升高,片层表面有利于氧化还原反应的含O官能团增多,这都大大促进了电解液离子H~ 的扩散与存储.由此制备的电极的质量比电容大幅度提高,为原始MXene电极的7倍多,而且经过20,000次充放电循环后电容保持率未发生下降.本文为具有高电容性能的MXene和MXene基复合电极的合理设计和制备提供了指导.
卷号:v.66
期号:03
是否译文:

李桂村

教授 博士生导师 硕士生导师

教师拼音名称:liguicun

出生日期:1974-05-12

电子邮箱:

所在单位:材料学院综合办公室

职务:材料科学与工程学院院长

学历:博士研究生

办公地点:材料楼225房间

性别:男

联系方式:guicunli@qust.edu.cn Tel:13730918070

学位:工学博士

毕业院校:中国海洋大学

所属院系:材料科学与工程学院

学科:材料物理与化学

曾获荣誉:

2016-01-01    山东省有突出贡献的中青年专家

2012-11-07    山东省第三届优秀研究生指导教师

2011-04-01    青岛拔尖人才

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